________________
26 SILICON CONTROLLER SIMULATOR RECTIFIER போலி உருவாக்கி க. இ) கட்டுப்படுத்திய சிலிகான் திருத்தி கணிப்பொறியியலில் உண்மை 5. மி. இ) யான அவருக்களை உருவாக்கித் P-N-P-N என்ற மூன்று சந்தியுள்ள | தீர்வு காண முயற்சித்தல். குறை கடத்தி சாதனம். இயல் பாகத் திறந்த மின் சுற்றாகவும், | SINUSOIDAI WANE: கதவுச் சுற்றில் மின்துடிப்புச் சைன் அலைகள் . இ) கொடுக்கும் போது, கடத்தும் | சீரிசை இலக்க அலைகளில் ஒரு நிலையைப் பெறுவதாகவும் உள்ள வகை அமைப்பு: படம் 64.1 OA SKIN EFFECT பாப்பாப்பு விளைவு பொ. 2) மாறு - மின்னோட்டம் செலுத்த n ப்பட்ட மின்கடத்து பொருளிகளில், அதன் உட்புறங்களை விட மேற்பரப்பில், அதிக மின்னோட்ட | PT. // அடர்த்தி இருக்கும் விளைவு SKIP SILICON DIODE தாவிச் செல் (க. இ சிலிகான் டையோடு (B. I. இ அடுத்த கட்டளைக்குத் தாவிச் சிகோன் குன்று கடந்தி கூயோடு செல்ல, கணிப்பொறிக்கு இடும் கட்டனை. | SILICON SOLAR CELL சிலிகான் சூரிய மின் கலம் SKIP DISTANCE மி. மீ. இ தாவு தாரம் (R. I. இ) பி - வகை - என் - வகை குறை குறிப்பிட்ட அதிர்வெண் கொண்ட கடத்திகளை மாற்றி மாற்றி (ரேடியோ அலைகளை, அயனி அடுக்கப் பட்ட பி . என் மண்டலத்திலிருந்து எதிரொளித்து சந்திகளை ஏற்படுத்தி, வீரம் சூரிய புமியில் இரண்டு புள்ளிகளில் ஆற்றலை மின்னாற்றலாக மாற்றும் | செலுத்தத் தேவைப் படும் மீச்சிறு மின் கலம், தூரம் டம் 65).
